ICP刻蚀工艺要点.doc

ICP刻蚀工艺要点
ICP考试题库
选择题。
1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B ）RPM
A 20000 B 32000
C 40000 D 18000

选择比=∕=
，描述一下各个参数的含义。
参数
Stable1
Etch1
Stable2
Etch2
Stable3
Etch3
flow
Pressure(mTorr)
3
3
3
3


0
SRFPower(W)
0
1900
0
1400
0
1900
0
BRFPower
0
200
0
200
0
700
0
HeliumPressure(Torr)
4
4
4
4
4
4
4
GasBCL3(300sccm)
80
80
80
80
40
40
0
Time(sec)
20
600
10
600
10
450
60
PenvlvPositionDelayTime
0
0
0
0
0
0
1000
SRFReflectPower(W)
50
50
50
50
50
50
50
BRFReflectPower(W)
50
50
50
50
50
50
50
C5SetPoint
40
40
40
40
40
40
40
答：Pressure(mTorr)工艺腔室压力，SRFPower(W)上电极加载功率，BRFPower
下电极加载功率，HeliumPressure(Torr)氦气压力，GasBCL3(300sccm)三***化硼流量，Time(sec)蚀刻时间，PenvlvPositionDelayTime PV摆阀位置，SRFReflectPower(W)上电极反射功率，BRFReflectPower(W)下电极反射功率，C5SetPoint等离子体密度。
5．简述CORIAL ICP作业流程图
检查N2 、BCl3 、O2 、He压力，PCW压力，温度等是否正常
系统开机
打开传输腔室
放置托盘
选择刻蚀程序
蚀刻作业
蚀刻结束，卸下晶片
6．简述CORIAL ICP装片工艺步骤
1． 装备好材料，包括石英托盘、带密封圈的铝盖、蓝宝石晶片；
2． 用无尘布蘸IPA擦拭石英托盘、铝盖；
3． 将密封圈均匀内陷于铝板小槽中；
4． 石英托盘背面朝上，用真空吸笔吸取晶片背面，按一定顺序放在晶片位置上，晶片平边对准托盘平边；
5． 将铝盖放在晶片顶部，并轻压，使铝板嵌入托盘小槽中；
6． 装好后，用无尘布蘸些许IPA擦拭托盘背面，将托盘翻转，轻轻擦拭托盘边缘，小心碰到晶片表面。
7. 简述CORIAL ICP清洗托盘作业流程图
DIW浸泡石英托盘
DIW冲洗
无尘布擦拭
N2吹干
IPA擦拭
8. 简述CORIAL ICP清洗反应室作业流程图
打开反应室
DI水清洗腔壁和石英窗口
IPA擦拭
用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条
放置真空密封橡皮条
安装石英细管
关闭反应室
9．简述CORIAL ICP托盘清洗标准作业流程
A. 用DI水浸泡石英托盘20min；
B. 用DI水冲洗一遍；
C. 用N2吹干；
D．用IPA擦拭；
E. 用真空硅脂涂抹真空密封圈。
10. 简述CORIAL ICP清洗反应室方法及步骤
A. 进入状态，选择；
B. 点击显示步骤，再点击；
C. 等待结束，反应室处于破真空状态，拧掉反应炉室上4颗锁紧螺丝，打开反应室；
D. 拆下石英细管，先用无尘布蘸上DIW，擦洗反应室内壁和石英窗口，再用无尘布蘸上IPA擦洗。注意检查下电极上的弹簧圈是否有损坏，如有损坏，请及时更换，最后清洁完后，按照图示安装石英细管；
E. 用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条，再放置好；
F. 在状态，选择

ICP刻蚀工艺要点 来自beplayapp体育下载www.apt-nc.com转载请标明出处.