ICP刻蚀工艺要点.docx

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ICP考试题库
，选择题。
B ）RPM
B 32000
D 18000
）时，设备能够正常工作
1、 ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（
A 20000
C 40000
2、 北微ICP本底真空和漏率指标为（A
B
>
<2mT/min
D
>
<
A 0— <1mT/min
C -- <
3、 NMC刻蚀机当前SRF时间为（ C ）时，要求对设备进行开腔清洁
A 50H B 100H
C 200H D 2000H
4、 SLR ICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程 （ABC）
A：用DI水喷淋托盘（底盘和盖子）、耐高温橡皮条（7根）、螺丝
B:用N2吹干
C:螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗
5、 ELEDE ICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程 （ABCD ）
A. 用DI水浸泡石英托盘 20min
B. 用DI水冲洗一遍
C. 用N2吹干
D. 用IPA擦拭密封圈
6、 ELEDE ICP卸晶片标准操作流程（ABC ）
A. 用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置
B. 用手轻轻地取出石英盖
C. 用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里
7、 CORIAL ICP卸晶片工艺步骤（ABC ）
A. 用小起子将铝盖轻轻翘开
B. 移开铝板
C. 用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里 二，填空题。
1. 蚀刻好的晶片测得的高度是 300S
2. 蚀刻时一般设置氦气的压力是 4Torr当实际压力超过 会报警氦漏
3. NMC机台正常工作时分子泵的转速是 32000 RPM
4. 在NMC工作中氮气的作用是 吹扫腔体 氦气的作用时 冷却晶片（托盘） 氧气的作用
是 清洁腔室 三***化硼的作用是 蚀刻晶片
5. 1 Torr = 133 P a
6. 清洗晶片时***的作用是清洗 有机物 异丙醇的作用是清洗 ***
7•曝光使光刻胶有选择性， 正胶 光照 地方,负胶 未被光照 地方,光刻胶被显影液反
应掉
死区盲区 等缺陷
9. 造成马赛克的因素有 晶片的平整度 ,匀胶的均匀性，曝光台的清洁度
10. NMC机台连续工作_5 小时需要做Dryclean
11. 每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第一个金属环时应添加异丙醇
12. 当机台闲置2小时以上再生产时，应对机台进行一次预热动作
13•作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准
14. 实验时装片要仔细查看晶片，避免把好晶片当成废片作为陪片刻蚀
15. 实验片刻蚀完放回原来的盒子中，不可另外单独存放
16. 每蚀刻完一个 RUN抽取两片进行检测，检测数据如有异常，立即报告工艺人员
17. 拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片表面，避免晶片污染导