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ICP刻蚀工艺要点.doc


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ICP刻蚀工艺要点ICP考试题库选择题。1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在(B )RPM A 20000 B 32000 C 40000 D 180002、北微ICP本底真空和漏率指标为(A )时,设备能够正常工作 A 0— <1mT/min B > <2mT/min C -- < D > <、NMC刻蚀机当前SRF时间为( C )时,要求对设备进行开腔清洁A 50H B 100HC 200H D 2000H4、SLRICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程(ABC)A:用DI水喷淋托盘(底盘和盖子)、耐高温橡皮条(7根)、螺丝B:用N2吹干C:螺丝使用一次后清洗;托盘和橡皮条使用三次后清洗;当天全部声波清洗5、ELEDEICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程(ABCD)、ELEDEICP卸晶片标准操作流程(ABC),用手拧开,、CORIALICP卸晶片工艺步骤(ABC)。(托盘)氧气的作用是清洁腔室三***=***的作用是清洗有机物异丙醇的作用是清洗***,正胶光照地方,负胶未被光照地方,,匀胶的均匀性,,,,杜绝晶片放错片盒,,,,抽取两片进行检测,检测数据如有异常,,不可用手触摸晶片表面,,,凡有马赛克、污染、,收集到返工盒里,待满一盒,,若实验片数据和外观OK就正常生产,负责在做3个SEASON和4片实验,直到能够生产为止判断题:1,ICP刻蚀的工艺气体是三***甲烷__________________(×)2,Corial冷冻机里面装的是ACE___________________(×)3,ICP石英托盘用ACE清洁_____________________(×)4,真空吸笔头容易脱落,吸片前检查一遍吸笔头是否稳固________(√)5,每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室___________(√)6,操作员可更改ICP生产程序____________________(×)四,问答题:;边不对称;刮花等,试分析一下造成这些废片的原因。答:造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等,但是刻蚀前没有镜检,2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片上,3机台长久没有做PM有颗粒掉在晶片上。边不对称:1装片时没有调整好,2盖石英盖时造成晶片移位。刮花:1装片调整时镊子刮到晶片,2目检时遗漏了刮花缺陷,3拧螺丝时手指衣袖等碰到晶片。,机台里只有一个托盘,托盘真正的位置在机械手臂上,但是系统显示托盘位置为未知状态,此时该如何操作?答:点击手动模式再点击托盘同步,在“设置托盘存在状态下”设置腔室的选项为托盘不存在,机械手臂为托盘存在托盘1,2,3,4,5的位置都设置为托盘不存在然后点击“与系统记录同步”点击“与设备信号同步”此时机械手臂上会显示有托盘,其他地方都没有托盘,这样就可以进行接下来的操作了。?,,那么理想的选择比应该是多少?

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