STI工艺等课件.ppt

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我很多年不做辐照效应了,也没查看相关资料,这方面你们是专家。我仅谈谈一些观点供参考。
STI技术
STI工艺步骤
STI对器件和隔离影响
电离辐照效应看法
WhySTI?
Technology:->
Isolation:LOCOS->STI
LOCOSdrawback:
’sbeak;
-planarity;
-down;
;
-induceddefects.
Padoxide ~110A
SiN ~1600A
STIdepth ~
STI蚀刻形状极为重要,下面会提到。
lineroxide(trenchliner):
~200A
~1000CdryO2
有些用SiO2/SiN复合层。
trenchoxide:
主要用HDPCVDoxide
有些用APCVDoxide,但是用于制作CIS。优点是应力小、缺陷少、漏电流低。
CMP后。
有些加Oxide干刻蚀,目的为了整个硅片STIoxide高度一致。
腐蚀SiN
阱注入、清洗等、、、
栅氧化前。
divot
栅氧化和多晶硅后。
Inter-wellIsolation(wellIsolation)
寄生N+toNWMOSFET
寄生P+toPWMOSFET
特性表征:
Vt,Vpt,Leakage.
影响STI隔离的主要因素:
STI蚀刻、深度和STIlineroxide质量(lessQf,Dit)等.
STI附近的掺杂分布。
PW&NWrecipe,thermalbudget.
N+和NW,P+和PW间距。
STI
Kinkeffectordoublehump
STIoxiderecessordivot
resultsintwoparasitic

topcornerenhancesthe
field&reduceVtofthe
parasitictransistor.
以下是相关文献总结