sti工艺等.ppt

以下是以前工作留下的STI相关学****资料,整理了一下,仅供参考。你们在那家代工厂开发,得和具体工程师讨论。我很多年不做辐照效应了,也没查看相关资料,这方面你们是专家。我仅谈谈一些观点供参考。.?Technology:->:LOCOS->STILOCOSdrawback:’sbeak;-planarity;-down;;-induceddefects..STI主要工艺步骤大部分代工厂用紫色框的步骤。下面给出形貌模拟示意图。.Padoxide ~110ASiN ~1600ASTIdepth ~,下面会提到。.lineroxide(trenchliner):~200A~1000CdryO2有些用SiO2/SiN复合层。trenchoxide:主要用HDPCVDoxide有些用APCVDoxide,但是用于制作CIS。优点是应力小、缺陷少、漏电流低。.CMP后。有些加Oxide干刻蚀,目的为了整个硅片STIoxide高度一致。、清洗等、、、栅氧化前。divot栅氧化和多晶硅后。.Goodgapfill,Smallbird’sbeak,Topcornerroundingradius,Sidewallslope(70~85o),Smalloxiderecess(divot),Bottomcornerrounding,Lessmicro-.