STI工艺等.ppt

以下是以前工作留下的STI相关学****资料,整理了一下,仅供参考。你们在那家代工厂开发,得和具体工程师讨论。
我很多年不做辐照效应了,也没查看相关资料,这方面你们是专家。我仅谈谈一些观点供参考。
STI 技术
STI工艺步骤
STI对器件和隔离影响
电离辐照效应看法
Why STI?
Technology: ->
Isolation: LOCOS -> STI
LOCOS drawback:
1. Bird’s beak;
2. poor-planarity;
3. Field oxide thinner as IC scaling-down;
4. NWE;
5. Stress-induced defects.
STI主要工艺步骤
大部分代工厂用紫色框的步骤。
下面给出形貌模拟示意图。
Pad oxide ~110A
SiN ~1600A
STI depth ~
STI 蚀刻形状极为重要,下面会提到。
liner oxide (trench liner) :
~200A
~1000C dry O2
有些用SiO2/SiN复合层。
trench oxide :
主要用HDPCVD oxide
有些用APCVD oxide,但是用于制作CIS。优点是应力小、缺陷少、漏电流低。
CMP后。
有些加Oxide 干刻蚀,目的为了整个硅片STI oxide 高度一致。
腐蚀SiN
阱注入、清洗等、、、
栅氧化前。
divot
栅氧化和多晶硅后。
Good gap fill,
Small bird’s beak,
Top corner rounding radius,
Sidewall slope(70~85o),
Small oxide recess (divot),
Bottom corner rounding,
Less micro-loading effect.
STI 形状要求