常见的薄膜课件.ppt

关于常见的薄膜
第一页，本课件共有25页
薄膜的定义和特性
定义：
厚度远小于面积固态物质层，称为薄膜。
特性
1、好的台阶覆盖能力；
2、粘附性好；
3、高的深宽比填充；
4、厚度均匀；
5、应力小
6、结构完整，高纯度，高密度
第二页，本课件共有25页
薄膜的种类和生长
种类
1、绝缘介质：SiO2, Si3N4 BSG，PSG，BPSG，FSG
2、金属薄膜：铝、金、铜、钨
3、半导体薄膜：单晶硅外延层、多晶硅
生长
薄膜分子成核 → 聚集成膜 → 连续的膜
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半导体生产中常用薄膜
二氧化硅（掺杂）
氮化硅
铝（铜）
铜（金）
多晶硅
单晶硅外延层
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二氧化硅
掺杂的二氧化硅
B，P等
可以吸收钠离子，减少沾污
高温下流动性好，有利于回流工艺 ，更好的填充空隙，实现表面平坦化
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氮化硅
性质（与二氧化硅比较）
1、氮化硅膜致密，气体和水汽都难以渗入，针孔密度低，导热性能比二氧化硅好，适合作多层布线的介质
2、掩蔽能力强（除能掩蔽二氧化硅可以的硼，磷，***外，还能掩蔽二氧化硅不能的镓，锌，氧等杂质）
3、介电强度比二氧化硅强，可得到更高的击穿电压
第六页，本课件共有25页
氮化硅
4、一般是在较低温度下由气相淀积形成，降低了温度对器件的影响
5、化学性质稳定，比二氧化硅更耐酸，除氢***酸和热磷酸能缓慢地腐蚀它外，其它的酸都不与它反应。不过对强碱和氧化剂不稳定
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氮化硅
注：
一般要求氮化硅与硅间有一层二氧化硅，以改进界面性能。即形成M-N-O-S结构
1）氮化硅可屏蔽外界离子和减小钠离子漂移
2）二氧化硅可降低界面态密度，提高表面载流子迁移率
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氮化硅
用途
1、氮化硅陶瓷材料可用于高温工程的部件。
2、可用作结合材料
3、在SiO2表面作为场氧化层制作的屏蔽罩
4、作为元器件的保护膜、钝化膜和绝缘介质
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铝
铝的特性
铝对光的反射性能良好；铝是热的良导体；铝有良好的延展性；
铝与盐酸和稀硫酸（稀）反应，而铝与浓***常温下不反应；铝与盐溶液反应；铝与强碱反应；铝与氧气反应 ；铝与非金属反应 ；铝与热水反应 ；铝与较不活动金属氧化物反应
电阻率低，ρ = μΩ•cm；和硅和氧化硅的优他良的附着；成本低，图形刻蚀容易。
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