化学沉铜介绍.ppt

目的：在基材表面沉积导电层，实现层　　　　　　间电气连接
化学沉铜（Electroless Copper)
ＰＴＨ：Ｐlating Through Holes
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生产流程
刷板  去钻污处理  化学沉铜
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刷 板
目的：1. 去孔口毛刺
2. 板面清洁
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去钻污处理
目的: 1. 去除内层铜箔残留的钻污,保证结
合良好.
2. 改善孔壁结构,加强结合力.
工艺流程: 溶胀  去钻污  中和
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溶胀(Swelling)
目的: 使树脂表面膨胀,降低分子键能,利
于去钻污反应的进行.
工艺控制: 温度60-80°C
时间5-10 min
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去钻污(Desmearing)
目的:利用KMnO4的强氧化性,将钻污除去
反应原理:
MnO4+C+OH  MnO42-+CO2+2H2O
副反应: MnO4-+OH-MnO42-+O2+2H2O
MnO42-+H20 MnO2+O2+2OH-工艺控制: 温度75-85°C
时间10-20 min
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中和（Reducing)
目的：将残留于孔壁的MnO4-、MnO42-、
MnO2还原
工艺控制：温度40-50°C
时间4-8 min
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化学沉铜
工艺流程：
调整  微蚀  预浸  催化  加速 沉铜
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调整（Conditioner)
目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的
吸附
工艺控制：温度45-55°C
时间4-8 min
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微蚀（Micro Etch)
目的：1. 清洁板面
2. 板面形成粗糙结构,保证沉铜层
与基材铜的结合力.
反应原理:Cu+Na2S2O8 CuSO4+Na2SO4
工艺控制：温度25-35°C
时间1-3 min
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