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第18章 DR成像技术
本章主要内容：
一、直接数字化X线成像（非晶硒探测器成像）
二、间接数字化X线成像（非晶硅探测器成像）
三、CCD X线成像
四、多丝正比电离室成像（MWPC成像）
以上四种成像技术是根据DR平板探测器结构类型和成像技术的不同进行分类的。
五、DR操作技术
六、DR图像质量控制
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DR相对CR的优点：
具有更高的空间分辨率，
更高的动态范围和DQE，
更低的X线照射量，
图像层次更丰富，
成像速度快，曝光后几秒显示图像，
大大改善了工作流程，提高了工作效率。
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第一节 非晶硒探测器成像
非晶硒探测器结构及其成像原理
成像技术：利用非晶硒的光电导性，将X线直接转换成电信号，经模数（A/D）转换形成数字化影像。
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非晶硒平板探测器基本结构1，X线转换介质2，探测器单元阵列3，高速信号处理4，数字影像传输
X线转换介质
探测器单元阵列
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成像原理：X线粒子射入加有高电压的非晶硒感光层，其中原本定向移动的电荷发生电导率的改变，伴随着空穴电子对分布不均匀的形成，感光层内就有了不均匀聚集的电荷通过薄膜晶体管阵列转换为可测的电信号，再进行A/D转换，成为可直接由计算机进行处理的数字信号
X线转换介质
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非晶硒探测器成像 特性：
探测器有效探测面积：35X43cm
采集矩阵：2560x3072 像素大小：139×139μm
采集像素A/D转换位数：14bit
空间分辨率：
⑴直接光电转换
⑵直接读出
⑶量子检测率（DQE）较高
⑷曝光宽容度大
⑸后处理功能强大
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第二节 非晶硅探测器成像间接数字化X线成像
两种类型：
碘化铯（CsI）+非晶硅
硫氧化钆[gá]（GOS）+非晶硅
与非晶硒平板探测器的主要区别在于荧光材料层和探测元阵列层的不同，其信号读出、放大、A/D转换和输出等部分基本相同。
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结构（碘化铯探测器为例）：
1、碘化铯闪烁体层，
2、非晶硅光电二极管阵列，
3、行驱动电路，
4、图像信号读取电路。
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