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(施敏)半导体器件物理(详尽版)说课材料.ppt


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(施敏)半导体器件物理(详尽版)说课材料.ppt第1章半导体特性1.1半导体的晶格结构1.2半导体的导电性1.3半导体中的电子状态和能带1.4半导体中的杂质与缺陷1.5载流子的运动1.6非平衡载流子1.7习题半导体材料的晶格结构电子和空穴的概念半导体的电性能和导电机理载流子的漂移运动和扩散运动非平衡载流子的产生和复合●——本章重点面心立方结构铝(Al)铜(Cu)金(Au)银(Ag)金刚石结构硅(Si)锗(Ge)由两个面心立方结构沿空间对角线错开四分之一的空间对角线长度相互嵌套而成。大量的硅(Si)、锗(Ge)原子靠共价键结合组合成晶体,每个原子周围都有四个最邻近的原子,组成正四面体结构,。这四个原子分别处在正四面体的四个顶角上,任一顶角上的原子各贡献一个价电子和中心原子的四个价电子分别组成电子对,作为两个原子所共有的价电子对。闪锌矿结构***化镓(GaAs)磷化镓(GaP)硫化锌(ZnS)硫化镉(CdS)元素半导体化合物半导体硅(Si)锗(Ge)Ⅲ族元素[如铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)]和Ⅴ族元素[如磷(P)、***(As)、锑(Sb)]合成的Ⅲ-Ⅴ族化合物都是半导体材料假使体心结构的原子是刚性的小球,且中心原子与立方体八个角落的原子紧密接触,试算出这些原子占此体心立方单胞的空间比率。例1-1解 内容来自beplayapp体育下载www.apt-nc.com转载请标明出处.