IGBT绝缘栅双极晶体管国家标准.doc

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布200×-××-××实施200×-××-××发布半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)Semiconductordevices-Discretedevices-Part9:Insulated-gatebipolartransistors(IGBT)(IEC60747-9:200×,IDT)(送审稿)GB/T××××—200×/IEC60747-9:200× VIEC前言 VI1范围 12规范性引用文件 13术语和定义 34文字符号 55基本额定值和特性 (限值) 、管壳温度Tc或结温Tj -发射极短路时的集电极-发射极电压VCES -发射极短路时的栅极-发射极电压VGES (适用时)ItRMS -发射极击穿电压V(BR)CES -发射极维持电压VCE*sus -发射极饱和电压VCEsat -发射极阈值电压VGE(th) * -壳热阻Rth(j-c) -环境热阻Rth(j-a) -壳瞬态热阻抗Zth(j-c) -环境瞬态热阻抗Zth(j-a) 76测试方法 (限值)试验 -发射极电压VCES、VCER、VCEX -发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES -发射极维持电压VCE*sus -发射极饱和电压VCEsat -发射极阈值电压VGE(th) 、ICER、ICEX (td(on)、tr、ton)和开通能量Eon (td(off)、tf、toff、tZ)和关断能量Eoff -壳热阻Rth(j-c)和结-壳瞬态热阻抗Zth(j-c) 247接收和可靠性 28附录A(规范性附录)集电极-发射极击穿电压试验方法 30附录B(规范性附录)在规定条件下,电感性负载关断电流试验方法 31附录C(规范性附录)正偏安全工作区FBSOA 33附录D(规范性附录)管壳不破裂 36图1集电极-发射极电压VCES、VCER、VCEX试验电路 8图2栅极-发射极电压±VGES试验电路 8图3集电极电流试验电路 9图4集电极峰值电流试验电路 9图5反偏安全工作区(RBSOA)试验电路 10图6关断期间的栅极-发射极电压VGE和集电极电流IC波形 10图7负载短路(SCSOA1)时,安全工作脉冲宽度试验电路 11图8负载短路(SCSOA1