下载此beplayapp体育下载

《半导体理器件物》.ppt


beplayapp体育下载分类:高等教育 | 页数:约90页 举报非法beplayapp体育下载有奖
1 / 90
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该beplayapp体育下载所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的beplayapp体育下载,不会出现我们的网址水印。
1 / 90 下载此beplayapp体育下载
beplayapp体育下载列表 beplayapp体育下载介绍
该【《半导体理器件物》 】是由【相惜】上传分享,beplayapp体育下载一共【90】页,该beplayapp体育下载可以免费在线阅读,需要了解更多关于【《半导体理器件物》 】的内容,可以使用beplayapp体育下载的站内搜索功能,选择自己适合的beplayapp体育下载,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此beplayapp体育下载到您的设备,方便您编辑和打印。第三章双极结型晶体管●双极结型晶体管的结构●根本工作原理●理想双极结型晶体管中的电流传输●爱伯斯-莫尔方程●缓变基区晶体管●基区扩展电阻和电流密聚●基区宽度调变效应●晶体管的频率响应●混接型等效电路●晶体管的开关特性●-BellLab.(Bardeen、Shockley、Brattain) 1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-BellLab.(Shockley) 1951年制造出第一只锗结型晶体管-BellLab.(Shockley) 1956年制造出第一只硅结型晶体管-美德州仪器公司〔TI〕 1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖 1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-〔吉林大学高鼎三〕 1970年硅平面工艺成熟,:)衬底制备衬底为低阻N型硅,电阻率在左右,沿(111)面切成厚约的圆片,研磨抛光到表面光亮如镜。〕外延外延层为N型,按电参数要求确定其电阻率及厚度。3〕一次氧化高温生长的氧化层用来阻挡硼、磷等杂质向硅中扩散,同时也起外表钝化作用。〕硼扩散和二次氧化硼扩散后在外延层上形成P型区,热生长的氧化层用来阻挡磷向硅中扩散,并起钝化作用。6〕光刻磷扩散窗口磷扩散和三次氧化磷扩散后在P型区磷杂质补偿硼而形成N+区,热氧化层用作金属与硅片间电绝缘介质。光刻发射极和基极接触孔9〕蒸发铝10〕〔工作区〕基极对集电极电压基极对发射极电压〔1〕正向有源模式:〔2〕反向有源模式:〔3〕饱和模式:〔4〕截止模式:加在各PN结上的电压为根据两个结上电压的正负,晶体管有4种工作状态,-6〔b〕NPN晶体管共基极能带图晶体管放大电路有两种根本类型:共基极接法与共发射极接法。。到达集电结的电子流。基区注入电子通过基区时复合所引起的复合电流从基区注入到发射区的空穴电流发射结空间电荷区内的复合电流。集电结反向电流,它包括集电结反向饱和电流和集电结空间电荷区产生电流。(3-2-1)(3-2-2)(3-2-3)(3-2-4)

《半导体理器件物》 来自beplayapp体育下载www.apt-nc.com转载请标明出处.

相关beplayapp体育下载 更多>>
非法内容举报中心
beplayapp体育下载信息
  • 页数90
  • 收藏数0收藏
  • 顶次数0
  • 上传人相惜
  • 文件大小6.07 MB
  • 时间2024-04-24