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全区氧化层3000-5000A 栅极氧化层最薄,全区氧化层最厚即使集中掺杂制程中可能不再使用高温炉,但为什么一般仍称高温炉为“集中炉”早期最常使用到的硅掺杂工具就是高温石英炉,因此集中炉这个称谓就沿用到今列出集中掺杂处理程序的三步步骤掺杂氧化层的沉积,氧化反响和驱入为什么二氧化硅能够做作为集中的遮挡层用?大多数和半导体制程相关的掺杂物在二氧化硅中的活化能都高于其在单晶硅中的活化能,因此他们在二氧化硅中的集中速度远小于在单晶硅中的集中速度。所以二氧化硅可以作为集中的遮挡层使用。但磷是例外什么是接面深度集中出去的掺杂物浓度等于基片掺杂物浓度之处。表达钛金属硅化合物制程。为什么晶圆在注入后必需以高温来退火?使用RTA制程进展这项退火处理应用的优点是什么非晶态硅中的掺杂物原子会比那些键在单晶晶格中的掺杂物原子集中快些,当温度较低时,扩闲逛骤的速度会比退火步骤快;然而在高温下(>1000度),退火步骤快些。RTA不但快速能够削减掺杂物在退火过程时的集中情形,而且具有极佳的热积存把握力气表达PSG的再流淌过程。我们能够使得USG再流淌吗?为什么在温度超过1000度时,PSG软化并开头流淌。软化后PSG会在外表张力的作用下流淌而使得介电质的外表更加圆滑平坦,这样可以改善微影制程的解析度并使后续的金属化制程更加的顺当。不能,USG用在IMD制程中,IMD制程温度不能超过400 USG要求的温度比较高,会使金属层溶化。列出可用于P型掺杂多晶硅LPCVD制程中的制程气体。为什么在低压化学气相沉积〔LPCVD〕氮化硅制程中使用的氮源材料和氨气而不是氮气。RTP系统的升温速度是多少?高温炉的升温速度是多少?为什么高温炉的温度增加速率无法和RTP系统一样快50-250度/S 5-10度/MIN高温炉由于热容量大,因此制程炉管或者是制程反响室的温度只能渐渐地上升或者降低和RTP系统相比,高温炉系统的优点是什么。高产量和低本钱第六章章前列出组成光阻的四个成分感光剂,聚合体,溶剂,添加剂表达正负光阻间的差异正光阻的图像会和光罩或倍缩光罩上的图像一样,负光阻的图像则是相反的图像表达微影制程的挨次。光阻涂布曝光显影列出四种对准和曝光系统,并指出在IC生产中哪种的解析度和使用率都最高接触式映象机邻接式映象机投影式映象机步进机 步进机的解析度和使用率最高表达晶圆在晶圆轨道机-步进机整合系统中的移动方式晶圆——预备处理反响室——自旋涂布机——冷却平板——步进机——加热平板——显影机——冷却平板说明解析度和景深及数字孔径的关系。一个光学系统所能到达的最小解析度是由光的波长和系统的数值孔径打算的R=K1*波长/数值孔径DOF=K*波长/〔2*数值孔径的平方〕较大的数值孔径,较小的波长能到达较佳的解析度 。列出光阻的四种成分,并解释他们的功能1感光剂,是一种感光性很强的有机化合物,能够把握并调整光阻在曝光过程中的光化学反响。2聚合体:是附着在晶圆外表上的有机固态材料,在当作图案转移过程中的遮挡层时,它能耐得住刻蚀和离子注入制程3溶剂,是一种溶解聚合物和感光剂的一种液体,并使聚合体和感光剂悬浮在液态的光阻中4添加剂可以把握并调整光阻在曝光中的光化学反响,以到达最正确的微影解析度列出微影技术制程的九个步骤。清洗晶圆——预备处理过程——光阻涂布——软烘烤——对准和曝光——曝光后烘烤——显影——硬烘烤——图案检视为何晶圆在光阻涂布之前需要清洁晶圆在微影制程前已经通过从前的制程,如刻蚀,离子注入和热处理,氧化,CVD,PVD和CMP。晶圆上可能存在一些有机污染物和无极污染物,就算晶圆上没有污染我,进一步的清洗仍可以使光阻在晶圆外表上有较佳的附着力气预考和底漆涂布的目的是什么1预考是为了去除吸附在晶圆外表上的湿气,提高光阻的附着力气。2底漆涂布可以弄湿晶圆的外表且增进有机的光阻与无机的硅挥着硅化合物外表之间的吸附力列出两种底漆涂布的方法。哪一个是先进集成电路工厂较宠爱使用的方法?为什么蒸汽底漆层涂布和自旋底漆层涂布。蒸汽底漆层涂布更受偏爱。由于它能削减由液态化学药制品所夹带的微粒物质造成的外表污染。哪些因素会影响到光阻自旋涂布的厚度和均匀性光阻的粘滞性,外表张力,光阻的枯燥特性,自旋转速,加速度以及自旋的时间。光阻自旋涂布的厚度和均匀性对加速度尤其敏感软烘烤的目的是什么?列出烘烤过度和烘烤缺乏的后果软烘烤可以增进光阻在晶圆外表的附着力。烘烤过度:会导致光阻过早的聚合作用而引起曝光不灵敏。烘烤缺乏:所引起的硬化缺乏和果冻状的光阻,在晶圆进展期间都会造成小幅度的震惊,这都足以在光阻上产生不清楚的图像把握曝光制程的因素是什么曝光强度和曝光时间。高强度的光源对于到达高解析度和高生产量是很重要的试解释曝光后烘烤的目的。在PEB中烘烤过度和烘烤缺乏的后果降低驻波效应。烘烤缺乏将缺乏以消退驻波效应,过度烘烤将影响光阻的聚合作用且影响到显影的制程列出显影的三个步骤显影,洗涤,枯燥试解释硬烘烤的目的。假设光阻烘烤过度与烘烤缺乏会产生什么问题硬烘烤会去除光阻中的剩余溶剂,增加光阻的强度,借着更进一步的聚合作用来改进光阻刻蚀和离子注入的抵抗力。同时由于更进一步的加热脱水二增加光阻在晶圆上的附着力。烘烤缺乏会造成光阻的高刻蚀速率并影响到它在晶圆上的附着力。烘烤过度会造成很差的解析度列出微影技术制程之后的晶圆制程离子注入或者刻蚀为何晶圆在进入下一个制程步骤之前需要检视假设晶圆无法通过检视,则光阻要被剥除而晶圆要被送回重做。在刻蚀和离子注入制程之前,光阻上的图案只是临时的。刻蚀和离子注入将是永久的。假设检视法相出错,则微影技术制程可以重做晶圆。假设一个错的图案已经被刻蚀或者注入了,那晶圆就报废了试解释寻求一个高强度及短波长光源的理由波长越短,图案解析度越好。高强度的光源曝光所需时间较短,也能到达较好的解析度。高强度的光源对于到达高解析度和高生产量是很重要的为何在次四分之一微米的集成电路制造上需要CMP制程当最小图形尺寸缩小到四分之一微米的时候,再流淌制程本身无法符合高微影及吸毒对于外表平坦化的要求,太过紧凑的热积存也限制了再流淌制程的应用,这个时候必需要CMP制程光学微影技术极可能无法在纳米元件的图案化步骤上。为什么纳米元件图形尺寸比可见光的波长还短至少列出两种在将来肯能取代光学微影技术的***微影技术极紫外线微影系统〔EUV〕X光微影系统,电子束微影系统,离子束微影系统删除了章前和章后一样的问题第七章章前解释等离子体等离子体是有着带电与中性粒子之准中性的气体列出等离子体的三种主要成分等离子体由中性原子或分子,电子〔负电〕,离子〔正电〕构成列出等离子体中的主要三种碰撞并且区分其重要性离子化碰撞当电子和一个原子或者分子相碰撞时,他会将局部的能量传递至原子核或分子核说束缚的轨道电子上。假设轨道电子获得的能量足以脱离核子的束缚,他就会变为自由电子激发松弛碰撞有事轨道电子无法从撞击电子中获得足够的能量来逃脱原子核的束缚,然而,假设碰撞能够给传递足够的能量而使轨道电子跃升到能量更高的轨道层中,这个过程就称之为激发。激发态不稳定,在激发轨道下的电子无法在此能量较高的轨道层中停留较常的时间,它就会掉回原来的能阶分解碰撞当电子和分子碰撞时,假设因撞击二传递到分子的能量会比分子的键结能量要高时,就会打破化学键产生自由基列出在化学气相沉积CVD和刻蚀制程中使用等离子体的好处CVD使用等离子体的好处:1在较低的温度下到达高沉积速度。2利用离子轰击来把握沉积薄膜的应力。3利用以***为主的等离子体对沉积反响室进展干式清洗4高密度等离子体源具有优异的间隙填充力气等离子体刻蚀优点除了包括非等向性刻蚀轮廓,自动终端点侦测和化学品消耗量较低外,还具有合理的高刻蚀速率,好的选择性和好的刻蚀均匀性区分等离子体增加式化学气相沉积PECVD和等离子体刻蚀制程之间的重要差异CVD制程是添加材料到基片的外表,而刻蚀制程是将材料从基片的外表移除。刻蚀制程在较低的压力下进展。低压和高抽气速率有助于增加离子轰击及从刻蚀反响室移除刻蚀副产品。PECVD制程通常是在比刻蚀制程要高的压力下进展。说出至少两种以上的高密度等离子体系统感应耦合等离子体源〔ICP〕和电子盘旋共振等离子体源〔ECR〕定义并说明平均自由路径以及它和压力之间的关系平均自由程是指粒子于粒子碰撞前能够移动的平均距离。l=1/().压力增大,自由程变小,压力减小,自由程变大定义并说明磁场在等离子体上的效应有助于在低压下产生并维持高密度的等离子体源。离子在磁场中的轨道不同,他们会从磁场中的不同位置射出。这样可以准确地选择所学要的离子,并舍弃不需要的离子表达离子轰击以及它和等离子体制程之间的关系。由于电子的移动速度比离子要快得很多,因此靠近等离子体的东西都会带上负电。带负电的电极会排斥带负电的电子而吸引带正电的离子,因此电极四周的离子会比电子多很多。因正电荷和负电荷的差值而在电极四周形成一个肖层电位,肖层电位会加速离子朝向电极移动,造成离子轰击。离子轰击对于溅镀沉积,,任何在等离子体中由分解碰撞说产生的自由基能有效地化学反响速率,这样会明显增加沉积速率等离子体中的哪种成分移动速度最快电子。由于电子最轻也最小,因此他比离子和中性分子更简洁吸取外界的电力供给能量当射频功率增加时,直流偏压会如何转变射频功率增加时,射频电位的振幅也增加。而等离子体电位和直流偏压也会增加说明等离子体轰击在刻蚀,PECVD以及溅镀PVD制程中的重要性由电子解离分子而产生的自由基,会大大地提高CVD和刻蚀制程的两者的化学反响速率。等离子体中受到激发-松弛机制而产生的辉光能够确实地指出在等离子体刻蚀和等离子体反响室清洁制程中的光学制程的终端点等离子体刻蚀反响室和PECVD制程室之间的主要差异性在哪PECVD的射频热电极的面积和放置晶圆的接地面积大致一样,具有较小的自我偏压,制程压力较大。等离子体刻蚀反响室的射频热电极面积比接地电极面积要小。制程压力较小在刻蚀反响室中通常将晶圆放在哪个电极上?为什么放在较小的射频热电极上。以便在整个射频周期获得较高能量的离子轰击。刻蚀需要较多的离子轰击。而较小电极上的自我偏压正好能够增加离子轰击的能量为什么刻蚀反响室中需要有一个反面氦气冷却系统以及夹环或静电夹盘刻蚀必需在低压下进展,然而低压不利于转移热能,这就需要一个反面氦气冷却系统来转移晶圆上的热能。也需要夹环或静电夹盘来防止反面的高压氦气会将晶圆吹走等离子体刻蚀系统中的刻蚀速率消灭过失时,为什么人们总是先检查射频系统为什么电容耦合等离子体源无法产生高密度的等离子体当反响室的压力只有几个毫托的时候电子的只有路径和电极的间距大约一样或甚至更长,因此无法产生足够的离子化碰撞。无法产生高密度的等离子体删除了章前和章后一样的问题第八章前列出至少三种最常使用在集成电路芯片制造的掺杂物P型:硼;N型:磷、***、锑从一个CMOS芯片横截面识别出至少三种掺杂区域描述一个离子注入机的主要局部离子注入机包括:气体、真空、电机、把握、射束线系统。解释通道效应并列举出至少两种降低此种效应的方法单晶硅中的晶格原子会整齐地排列着,而且在特定的角度则可见到很多的通道。假设一个离子以正确的注入角度进入通道,它只要带有很少的能量就可以行进一个很长的距离。这就称作通道效应。。。识别与离子注入有关的安全性上问题化学危急源;;;。章后列出在掺杂步骤中离子注入优于集中的地方低温,以光阻作遮挡层;;;。列出至少三项在CMOS集成电路制造中的注入制程阱区,临界电压,LDD和源极/漏极注入离子注入对集成电路制造制程的主要转变是什么使用离子注入制程形成一个重度掺杂的N型接面并不困难,因此N型MOS晶体管在离子注入制程被引进后就很快地取代了速度较慢的P型MOS晶体管。在离子注入制程之后,高能量的掺杂手离子轰击硅基片的单晶构造。要修补晶体的损伤以及活化掺杂物则需要一个高温〔>1000C〕的热退火步骤。由于热处理的温度很高会导致铝被熔化,所以需要另一种导体---多晶硅金属硅化物当作栅极材料。两种离子阻滞的机制是什么原子核阻滞;。掺杂步骤中最重要的结果是掺杂物的浓度与掺杂物的接面深度。在离子注入制程中由哪些因素来把握这两项结果掺杂物浓度:离子束的电流和注入时间之组合来把握。掺杂物的界面深度:离子的能量。当两种离子以一样的能量和入射角度注入进入单晶硅中时,它们在硅中会停在一样的深度?解释缘由不会。由于离子在一个非晶态材料内的投影射程通常会遵循高斯分布。并且通道效应还会导致某些离子穿透到单晶基片的深处。试描述离子投影射程,离子能量和离子种类之间的关系以一样的离子种类而言,离子的能量越高,离的射程就越远;而在一样的能量之下,离子越轻,则离子的射程就越远。为什么晶圆在离子注入后需要退火在离子注入制程中,大量的离子注入会造成单晶基片内部靠外表的局部大量的晶格损坏,进而使之变成非晶态,而且自我退火无法在短期内修复晶体的损坏。晶格损坏必有在热退火步骤中被修复心恢复单晶的构造并活化掺杂物。只有当掺杂物原子在单晶体晶格位置时,它们才能够有效地供给电子或是空穴来当作电流的主要载体。列出快速加热退火优于高温炉退火的地方在高温制程期间,单晶体的热退火、掺杂物原子的活化和掺杂物原子的集中会同时发生。温度低时集中快,温度高时退火快。快速加热退火的快速升温、冷却可以使掺杂物的集中减到最小。为什么在制程期间一个离子注入器的射束线需要在高真空状态整个射束线必需要在高真空的状态以削减带电离子和中性气体分子沿着离子的轨迹发生碰撞,碰撞会引起离子的散射和损失,并且会从离子与中性原子间的电荷交换碰撞而产生不想要的离子注入,造成射束线的污染。集成电路制造中使用的最毒气体是什么?如何识别他?他是P型掺杂物还是N型掺杂物锑sb,易碎,银白色金属,n型掺杂物。为什么离子注入机需要高压电力供给在电机系统中,需要有高压的直流电用来加速离子。热灯丝需要大电流和一个几百伏特的偏压电力供给系统;一个射频离子源则需要大约一千瓦的射频电力供给。在进入离子注入机前,一个工作人员需要用接地线接触工具的零件,为什么高电压会产生大量的静电荷,假设没有完全放电的话,在与其接触时就会引起电压,因此在进入注入机工作之前就需要用接地棒将全部零件放电。试解释当一个人在为射束管做湿式清洁时为什么需要带上双层手套在离子注入制程中为何晶圆通常会被倾斜倾斜是为了削减通道效应。借着倾斜晶圆,离子会倾斜地与晶圆碰撞而不会进入通道。入射的离子会马上以原子核碰撞的方式而有效地削减通道效应。列出阱区注入和源极/漏极注入制程的能量及电流条件。试解释你的答案阱区注入:这是一个高能量的离子注入制程。需要形成一个称作阱区的深接面以使金属氧化物半导体晶体管可在其上建立。源极/漏极注入:高电流低能量的注入制程。使用高电流离子束来重度地掺杂硅芯片。假设质谱仪磁铁的直流电不准确,可能会发生什么问题会选择错误的注入离子。在磁场内带电荷的粒子会因磁场而开头旋转。螺旋转动半径与带电粒子的能量,磁场强度和带电粒子的m/q比值有关,设置正确的磁场强度就可以准确地选择想要的离子种类,排解不要的离子,故假设直流电流不正确,就会导致错误的磁场强度,选择出错误的掺杂离子。参与加速电极的电压没有被正确地校准,所测量出的数值将不会是正确的数字,这样会造成怎样的之制程问题没有正确的加速电压,则离子加速后的能量不是想要的,离子的注入深度也就会错误。19离子注入和等离子体浸置型离子注入之间的主要差异有哪些a等离子体浸置性离子注入是一个没有离子种类与离子能量选择的离子注入制程。b等离子体浸置性离子注入掺杂离子流通量主要是受微波的功率把握,而且离子能量则主要是由偏压RF功率来打算。C等~是一个低能量的制程D与标准式离子注入相比等~缺点是无法选择特别的离子种类E离子流通量会受到等离子体位置及反响室压力的影响,而且离子能量的分布范围很广。F难以准确地把握残杂物的浓度和接面深度。第5章章前至少列出三种重要的加热制程氧化,退火,沉积是三种重要的加热制程说明直立式和水平式炉管的根本系统并列出直立式炉管的优点气体输送系统,制程炉管,把握系统,气体排放系统,装载系统。LPCVD的话再加上真空系统。优点:占地面积小,微粒污染较低,能够处理大量的晶圆,均匀性较佳,修理本钱较低说明氧化制程氧化是最重要的制程之一,它是一种添加制程,把氧气加到硅晶圆上,在晶圆外表形成二氧化硅说明氧化前清洗的重要性氧化制程前的硅晶圆外表清洗是格外重要的,由于受到污染的外表会供给成核位置而形成二氧化硅多晶体层识别干式氧化和湿式氧化制程及应用的差异性干式制程:闲置状态下通入净化氮气气体——闲置状态下通入制程氦气气体——在制程氮气流下把晶舟推入反映炉管——氮气气氛下升温——氮气分为下到达稳定温度——关闭氮气,通入氧气和***化氢——关闭氧气,通入氮气,进展退火——氮气气氛下降温——氦气气氛下拉出晶舟——进展下一批操作湿式制程:闲置状态下通入净化氮气气体——闲置状态下通入制程氦气气体——通入氮气气流和大量氧气——通入氮气气流和大量氧气,推入晶舟——通入氮气气流和大量氧气,开头升温——通入氮气气流和大量氧气,到达稳定温度——注入氧气并关掉氮气——稳定氧气气流——翻开氢氧气流,并点燃——稳定氢气流——利用氧气和氢气进展蒸汽氧化反响——关闭氢气,通入氧气——关闭氧气,通入氮气——进展下一批操作。湿式氧化具有较高的生长速率,干式氧化的生长速率比湿式的低,但干式氧化生长的薄膜品质比湿式的好。薄的氧化层如屏蔽氧化层,衬垫氧化层,栅极氧化层通常用干式氧化说明集中处理集中是一种物理现象,是由于分子受到热运动的驱动而使物质由浓度高的地方移向浓度低的地方说明为何离子注入可以可以取代集中来对硅进展掺杂集中无法单独把握掺杂物的浓度和接面深度,集中是个等向过程。离子注入能对掺杂物的浓度和掺杂物的分部供给较佳的把握举出至少三种高温沉积制程。外研硅沉积多晶硅沉积LPCVD氮化物沉积9说明注入后退火处理的必要性在离子注入过程中,哪些高能量的掺杂物离子会对靠近晶圆外表的硅晶体构造造成广泛的破坏。在退火中能加品德损伤修复,以使其恢复单晶构造并活化掺杂物说明快速加热制程的优点。muchfasterramprate(75to150c/sec)hightemperature(upto1200c)fasterprocessminimizethedopantdiffusionbettercontrolofthermalbudgetbetterwafertowaferuniformitycontrol章后表达一种热氧化制程,为何在硅的局部氧化形成是,氧化薄膜会向硅基片内生长硅的氧化。氧化制程中的氧气是气体,而硅则来自固态基片,因此当二氧化硅在生长时,它就会消耗基片上的硅,而这层薄膜就会向着硅基片内生长。形成整面全区氧化层同城使用何种氧化制程,干式或湿式?请解答你的答案湿式。全区氧化层对精度要求不高,湿式氧化的速率较快,能在短时间内生长出厚的整面全区氧化层。氢氧燃烧氧化制程和其他湿氧扮装系统相比较的优点和缺点可以准确地把握气体流量,省略处理气体和液体的步骤。缺点要使用易燃易爆的氢气。为何氢氧燃烧氧化制程中的H2:O2注入比例要略小于2:1要确保氢氧反响过程中有超量的氧气来把氢气全部消耗完。不然氢气会累积在反响炉管中肯能造成爆炸列出栅极氧化制程中说用到的全部气体,并说明每一种气体说扮演的角色。净化氮气—吹除净化气体,作为钝气,制程氮气—使炉管内布满高纯度氮气,除去污染气体;氧气—使硅氧化生成栅极氧化层;***化氢—削减氧化物中的移动离子,并将界面电荷降至最低。当温度增加时,氧化层的生长速率如何变化?当压力增加时,对氧化层的生长速率又有何种效应。温度加大时,分子活化能增大,氧化层生长速度加大。增大压力生长速度变大。压力增加会提高制程反响室中氧和水蒸气的密度,以及他们在二氧化硅中的集中速率,进而增加氧化的速率。IC芯片制造中会用到衬垫氧化层,阻挡氧化层,栅极氧化层,屏蔽氧化层和全区氧化层,其中哪种最薄,哪种最厚。衬垫氧化层100-200A,阻挡氧化层100-200A,栅极氧化层30-120A,屏蔽氧化层~200A 全区氧化层3000-5000A 栅极氧化层最薄,全区氧化层最厚即使集中掺杂制程中可能不再使用高温炉,但为什么一般仍称高温炉为“集中炉”早期最常使用到的硅掺杂工具就是高温石英炉,因此集中炉这个称谓就沿用到今列出集中掺杂处理程序的三步步骤预积,掩盖层氧化,驱入。〔掺杂氧化层的沉积,氧化反响和驱入〕为什么二氧化硅能够做作为集中的遮挡层用?大多数和半导体制程相关的掺杂物在二氧化硅中的活化能都高于其在单晶硅中的活化能,因此他们在二氧化硅中的集中速度远小于在单晶硅中的集中速度。所以二氧化硅可以作为集中的遮挡层使用。但磷是例外什么是接面深度集中出去的掺杂物浓度等于基片掺杂物浓度之处。表达钛金属硅化合物制程。ArgonsputteringcleantitaniumPVDRTPanneal,~700cstriptitanium,H2O2:H2SO4为什么晶圆在注入后必需以高温来退火?使用RTA制程进展这项退火处理应用的优点是什么在离子注入过程中,高能量的掺杂物离子会对靠近晶圆外表的硅晶圆构造造成广泛的破坏,为了符合元件的规定就必需在退火步骤中将晶圆损伤修复,以使其恢复单晶晶格位置,才能有效地供给电子或空洞作为传导电流的主要载体。非晶态硅中的掺杂物原子会比那些键在单晶晶格中的掺杂物原子集中快些,当温度较低时,扩闲逛骤的速度会比退火步骤快;然而在高温下(>1000度),退火步骤快些。RTA不但快速能够削减掺杂物在退火过程时的集中情形,。我们能够使得USG再流淌吗?为什么在温度超过1000度时,PSG软化并开头流淌。软化后PSG会在外表张力的作用下流淌而使得介电质的外表更加圆滑平坦,这样可以改善微影制程的解析度并使后续的金属化制程更加的顺当。不能,USG用在IMD制程中,IMD制程温度不能超过400USG要求的温度比较高,会使金属层溶化。列出可用于P型掺杂多晶硅LPCVD制程中的制程气体。SiH:SiH—Si+2H;SiHCL:SIHCL+H—SI+2HCL;AH,PH,BH4 4 2 2 22 2 23 3 26为什么在低压化学气相沉积〔LPCVD〕氮化硅制程中使用的氮源材料和氨气而不是氮气。RTP系统的升温速度是多少?高温炉的升温速度是多少?为什么高温炉的温度增加速率无法和RTP系统一样快50-250度/S 5-10度/MIN高温炉是一种批量工具,一次能够处理数百片晶圆。由于热容量大,因此制程炉管或者是制程反响室的温度只能渐渐地上升或者降低和RTP系统相比,高温炉系统的优点是什么。高产量和低本钱第6章前列出组成光阻的四个成分感光剂,聚合体,溶剂,,。光阻涂布、、,-步进机整合系统中的移动方式晶圆→预备处理反响室→自旋涂布机→冷却平板→步进机→加热平板→显影机→。一个光学系统所能到达的最小解析度是由光的波长和系统的数值孔径打算的R=K1*波长/数值孔径DOF=K*波长/〔2*数值孔径的平方〕较大的数值孔径,较小的波长能到达较佳的解析度 。列出光阻的四种成分,并解释他们的功能感光剂,是一种感光性很强的有机化合物,能够把握并调整光阻在曝光过程中的光化学反响。:是附着在晶圆外表上的有机固态材料,在当作图案转移过程中的遮挡层时,它能耐得住刻蚀和离子注入制程。:是一种溶解聚合物和感光剂的一种液体,并使聚合体和感光剂悬浮在液态的光阻中。:可以把握并调整光阻在曝光中的光化学反响,以到达最正确的微影解析度。列出微影技术制程的九个步骤。清洗晶圆→预备处理过程→光阻涂布→软烘烤→对准和曝光→曝光后烘烤→显影→硬烘烤→图案检视为何晶圆在光阻涂布之前需要清洁晶圆在微影制程前已经通过从前的制程,如刻蚀,离子注入和热处理,氧化,CVD,PVD和CMP。晶圆上可能存在一些有机污染物和无极污染物,就算晶圆上没有污染我,进一步的清洗仍可以使光阻在晶圆外表上有较佳的附着力气预考和底漆涂布的目的是什么预考是为了去除吸附在晶圆外表上的湿气,提高光阻的附着力气。。哪一个是先进集成电路工