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材料表面薄膜技术：杨烈宇。P253-260
Piezoresistance and electrical resistivity of Pd, Au, and Cu films:电子隧道效应与表面粗糙度对薄膜电阻的影响。
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在50°C时大概20-30,镍镉或者康铜，当厚度T=10，即厚
度为300nm时，根据上式计算得：
加约40%： t = }QA时，pf增加约4%。因此对较薄的 薄膜，表面散射对薄膜电导的影响不可低估"
式（1）是假设电子在薄膜表面完全漫反射所得的 结果，对于有一部分电子在表面产生镜面反射的情况， 式（1）应修正为；
为=岳】+普。一『） （2）
反射所占比例为P,漫反射所占比例为（1-P），对于同样的 薄膜，改善表面光滑程度，可以使薄膜电阻率降低。
事实上，在研究对象中，薄膜的厚度己经是电子 平均自由程的10倍以上，按照
F- 阻率的增加是很小的,似乎不足以引起根本性的改变， 但实验结果显示，簿膜电阻率随看表面粗植度的增加 而增大，可能的解释是由于薄膜的生长结构所造成• 图2为磁控滋射Au薄膜的三雄原子力显微镜形貌。 可见，磁控溅射Au膜均星柱状晶结构生长，在垂直 于薄膜表面方向颗粒尺寸参差不齐，纵向不同高度以 及横向不同尺寸的颗粒导致了不同的薄膜表面粗糙 度，从而影响电子在薄膜中的输运」导致薄膜电阻率 的变化.
表而高低起伏越大，粗糙度值就越大，电子与之碰撞的几率 就越多，在电场方向降低的传输速度就加快，导致薄膜电导 率下降，相应电阻率升高。也就是说，表而粗糙度越大，薄 膜电阻率将增大
Burnett[12】等人对溅射Cu膜研究
发现，随残余拉应力增加，薄膜电阻率增大；
研究认为，电阻率与残余应力之间的这种对应关
系，可能和薄膜的品体取向有关。从前期研究中已经
知道，对而心立方金属，薄膜残余应力与品体取向有
内在的联系【161。薄膜残余拉应力随(111)取向增强而增 大。、电子・杂质、 、电子一表面的碰撞有关，这就必然会涉及 到品界、品格和表面的状态。对应于表面能，密排面 (111)对应的表面能最小；对应于应变能，(111)取向的 品粒中应变能密度最大。也就是说，随着残余拉应力 的增加，薄膜(111)取向呈增强的态势。此时，薄膜中 应变能集聚越多，导致品粒变形越厉害，品界扭曲程 度增加，品界对电子造成的散射就会越显著，薄膜电 阻率相应增大。Tseng[171等人对A1和
W膜的研究进 步证实了上述结果。
(2)陶瓷基体表面粗糙度对Ni-Cr薄膜换能元性能的影响 王广海，李国新，焦清介
(北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室，北京 100081) :随着基底粗糙度的增大，薄膜颗粒度增大，